DDR5内存为下一代标准，三大内存厂商均带来相关产品，但产品爆发起码是2021年之后，现在大家的主力依然是DDR4内存。美光即将量产1znm工艺的DDR4颗粒，相当于12-14nm工艺，可以轻松制造单条16GB内存。

      内存进入20nm节点之后，制程工艺已经不再具体标明数字，而是用1x、1y、1z来代替，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

      根据美光之前公布的路线图，实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm，这样一来10nm级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。

      美光现在量产的主力是1ynm工艺的DDR4颗粒，去年就宣布推出1znmk工艺的DDR4颗粒了，今年正在不断扩大量产规模，1znm工艺的内存很快就要成为主力。

      内存工艺微缩意味着可以制造出核心容量更大的产品，1znm内存量产之后，16Gb核心制造更容易，只要8个核心就可以做出单条16GB的内存，满足目前台式机及笔记本大内存的需求。

      此外，美光的1znm工艺未来还会用于生产DDR5内存，至少早期的DDR5内存会是这样。