自从台积电量产7nm+工艺后，现在又有出动作。台积电表示，已经进行2nm工艺的研发，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。

      不过台积电方面并没有给出2nm工艺所需要的技术和材料。但是按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm。也就是说，2nm制程相比于3nm要小了23%。

      台积电没有透露，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，

      当然，在量产2nm之前台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产;6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产;5nm全面导入极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳);3nm有望在2021年试产、2022年量产。

      至于接下来，台积电能不能做到1nm，就要看造化了。