目前，芯国际表示还会有N+1及N+2代FinFET工艺，其中今年内有望小规模量产N+1代工艺。同时今年内还有可能试产更先进的7nm工艺。

      作为中国半导体行业最薄弱但也是最重要的环节，芯片工艺一直是国内的痛点，所以国内最大的晶圆代工厂中芯国际任重而道远。此前中芯国际已经表态14nm工艺已经试产，今年就会迎来一轮爆发，年底的产能将达到目前的3-5倍，同时今年内还有可能试产更先进的7nm工艺。

      中芯国际的14nm工艺从2015年开始研发，已经进行了多年，在2019年就已经解决技术问题了，之前有报道援引中芯国际高管的表态，称14nm工艺的良率已经达到了95%，技术成熟度还是很不错的。

      不过良率达标之后，大规模量产还是个一道坎，这个过程需要有14nm工艺客户的支持，精英代工是看客户需求的，客户需求高，产能才有可能建设的更大。在这一点上，中芯国际相比台积电、三星是有劣势的，后两家的14nm同级工艺都已经过了折旧期了，成本优势明显，中芯国际只能依靠国内的客户。

      截至2019年底，中芯国际的14nm产能据悉只有3000到5000晶圆/月，不过2020年14nm产能会增长很快，年底的时候将达到15000片晶圆/月，是目前的3-5倍，最多能增长400%。

      14nm之后还有改进型的12nm FinFET工艺，根据中芯国际之前介绍，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%，预计今年上半年就会贡献收入。

      只是中芯国际没有明确这里的N指代的是哪种工艺，考虑到他们很有可能会跳过10nm工艺节点，那么N+1代应该就是7nm节点了，意味着我们今年就有可能看到国产的7nm工艺。

      即便中芯国际不跳过10nm节点，那么今年国内的工艺也能追赶到10nm节点，跟台积电、三星还是会落后一到两代，但是已经足够先进了。