当前台积电宣布，N7+ 7nm+工艺大批量提供给客户，这是其乃至全产业第一个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。

      EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到13.5nm，研发，推动更先进工艺。

      EUV光刻技术早在20世纪80年代就已经研发出来，最初计划用于70nm工艺，但光刻机指标一直达不到需求，加之成本居高不下，芯片厂商不得不引入沉浸式光刻、双重乃至多重曝光来开发新工艺。

      按照台积电的说法，他们的EUV光刻机已经可以在日常生产中稳定输出超过250W的功率，完全可以满足现在以及未来新工艺的需求。

      三星7nm工艺也在引入EUV，不过进展相比台积电要落后很多。

      台积电表示，7nm+的量产速度也是公司史上最快的之一，今年第二季度就已量产，并且在良品率上迅速达到了已经量产1年多的7nm工艺的水平。

      7nm+相比于7nm在性能上可带来15-20%的晶体管密度提升，同时改进了功耗。

      台积电7nm+工艺已经应用于多家客户的产品，但官方没有给出具体名单，目前唯一可完全确认的就是华为麒麟990 5G，AMD下一代Zen 3架构也一直标注为7nm+工艺。

      接下来，台积电将继续奔向6nm、5nm、3nm、2nm，其中6nm(N6)相当于7nm的升级版，设计规则完全兼容，继续采用EUV技术，晶体管密度可比7nm提升18%，预计明年第一季度试产，明年底量产。