10月29日，东北大学的研究人员揭示了全向光致发光（ODPL）光谱学的更多细节--一种用光探测半导体晶体的缺陷和杂质的方法。东北大学材料科学家Kazunobu Kojima说：“我们的发现证实了ODPL测量的准确性，并显示了通过ODPL方法测量晶体的光吸收的可能性，这使该过程更加容易。”

在使用氮化物半导体（特别是氮化铝镓（AlGaN））的高效电子和光学器件（例如紫外线，蓝色和白色发光二极管（LED）以及高频晶体管）的开发中已取得了长足进步，氮化铟镓（InGaN）和氮化镓（GaN）。

GaN具有大的带隙能量，高击穿场和高饱和电子速度，因此是适合功率器件的材料。

制造商非常需要能够检测晶体缺陷并测试其效率。在这种高质量的晶体中，非辐射复合中心（NRC）的浓度可以很好地预测晶体的质量。

ni没光谱，深层瞬态光谱和光致发光（PL）光谱是检测点缺陷的估算技术，这些缺陷是NRC的来源。PL光谱法很有吸引力，因为它不需要电极和触点。

ODPL由小岛及其研究团队于2016年首次提出，是PL光谱的一种新颖形式，它通过使用积分球来量化样品半导体晶体中辐射的量子效率来测量PL强度。它是非接触式，非破坏性的，适用于用于室内照明的LED和电动汽车晶体管的大型GaN晶片。但是，迄今为止，ODPL中形成的两峰结构的起源仍然难以捉摸。

Kojima和他的团队将ODPL和标准PL（SPL）光谱学实验结合在GaN晶体上，在12 K和300 K之间的不同温度（T）下进行。GaN的NBE发射的ODPL光谱与SPL光谱的强度比（r）在低于基本吸收边能量（Eabs）的条件下，光子能量（E）呈线性下降的斜率.r中获得的斜率对应于所谓的Urbach-Martienssen（UM）吸收尾巴，这在许多半导体晶体中都观察到。

因此，ODPL光谱中GaN晶体NBE发射周围的双峰结构的起源是由于U-M尾部的存在。