LTC4449在4V至6.5V范围内驱动高端和低端MOSFET栅极，以高达38V的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达4.5A     电流   和提供3.2A电流，从而使该器件非常适用于驱动高栅极     电容   和大电流MOSFET。它还可以驱动多个并联的MOSFET，以实现更大电流的应用。当驱动一个3000pF负载时，高端MOSFET的快速8ns上升时间和7ns下降时间、低端MOSFET的7ns上升时间和4ns下降时间最大限度地降低了     开关   损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以防止高端和低端MOSFET同时导通，同时最大限度地缩短死区时间。

对用于电源级控制和停机的调制（PWM）输入来说，LTC4449提供一个3态脉冲，这与所有利用3态输出功能的多相控制器兼容。此外，LTC4449有一个单独的电源用于输入逻辑，以匹配控制器IC的信号摆幅、以及驱动器电源和逻辑电源上的欠压闭锁电路。

LTC4449EDCB采用2mmx3mmDFN-8封装。

性能概要如下：

•同步N沟道MOSFET驱动器

•4V至6.5V栅极驱动VCC电压

•38V最高电源电压

•自适应贯通保护

•3态PWM输入用于电源级控制

•大驱动电流：提供3.2A，吸收4.5A

•高端栅极：当驱动3000pF负载时，8ns上升时间，7ns下降时间

•低端栅极：当驱动3000pF负载时，7ns上升时间，4ns下降时间

•2mmx3mmDFN-8封装

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