※功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。

主要用途包括逆变、变频等。受惠于5G及电动车需求的显著增长，我们对功率半导体的市场发展持乐观看法。本文重点讨论IGBT/三代化合物半导体功率器件在技术推进和应用驱动下迎来新一轮发展机遇。

※IGBT是新能源汽车     电机   控制系统和充电桩的核心器件。

    IGBT   约占新能源汽车电力驱动系统及车载充电系统成本的40%，折合到整车上约占总成本的7——10%，它的性能决定了整车的能源利用率。IGBT多应用于高压领域，MOSFET主要应用在高频领域。

※SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。

SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC适合高压领域，GaN更适用于低压及高频领域。

※我们建议重点关注5G应用所带来的RFGaN市场机遇。

5G对于更高数据传输速率的要求推动了基站部署的PA转换为GaN。另外，在5G的关键技术MassiveMIMO中，大量的阵列天线需要相应的射频收发单元，所以射频器件的使用数量将明显增加。

※我们通过测算IGBT/SiC的新能源汽车市场供需量推测其增量空间。

我们认为IGBT的增量空间巨大。SiC市场可能出现供不应求的情况。扩大功率半导体产能的动力之一来源于新能源汽车。

※我们看好新能源汽车中功率半导体成分的增长。

根据英飞凌的统计，一辆传统燃料汽车的电机驱动系统中功率半导体的价值为17美元，而一辆纯电动汽车中价值为265美元，增加了近15倍。新能源汽车为功率半导体带来了极大的增长潜力。电力基础设施的升级和便携式移动设备对高能效电池的需求也推动了功率半导体市场的增长。