6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行了开工仪式。项目占地368亩，一期总投资60亿，产品覆盖低压至高压半导体功率器件和射频器件，立志在长三角地区打造集研发、设计、外延生长、芯片制造为一体的宽禁带半导体基地，填补我国高端半导体器件的产业空白。

据介绍，英诺赛科由海归创业团队创立，是集合了来自美国、韩国、台湾地区等地知名企业的众多精英并由招银国际、吴江产业投资等国内知名PE机构投资组成的高科技企业，在第三代宽禁带半导体全产业链各个环节拥有多年研发与产业化经验，掌握多项核心专利技术。继八英寸硅基氮化镓项目于2017年底在珠海市成功通线以来，英诺赛科获得半导体行业和投资界的广泛认可和关注。

英诺赛科苏州项目将借助长三角地区半导体产业集群效应和政策优势，与上下游先进制造企业协同发展，填补我国高端半导体器件的产业空白，为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供先进、高效、节能和低成本的核心电子元器件。加强与国内外战略合作伙伴的共赢发展。

开工仪式上，吴江区副区长吴琦表示，积极支持英诺赛科宽禁带半导体项目的建设并为海归创业人士创造有利的政策环境，共同推进高端芯片的国产化。英诺赛科CEO孙在亨先生表示，将充分发挥团队的国际资源整合能力，积极为吴江区引进先进技术和国际高端半导体人才，用世界一流的标准将英诺赛科打造成为国际领先的半导体品牌企业。