根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导指出，中国一直企望发展半导体产业，但在近期受到韩国存储器大厂三星与SK海力士在市场垄断与持续技术精进下，加上美国对知识产权的严密保护，其目的将难以达成。
报导指出，2018年10月份，在中国NANDFlash快闪存储器技术上领先的长江存储(YMTC)发布了自行研发的32层堆叠产品之后，当时就宣布将在2020年时跳过64层及96层堆叠的产品，直接发展128层堆叠的产品。由于韩国的存储器龙头厂三星，早在2014年就已经推出了32层堆叠的NANDFlash快闪存储器产品，所以在过去在技术上至少有5年的领先差距。
只是，如果依照计划，长江存储一旦真的能在2020年推出128层堆叠的产品，相较三星在2019年要量产96层堆叠的产品，并且预计在年底开发出128层堆叠的产品，则三星在NANDFlash快闪存储器技术上领先长江存储就仅剩下一年的时间，其追赶的进度令人惊讶。
由于在NANDFlash快闪存储器技术发展，从32层堆叠到64层堆叠，再到96层堆叠，乃至于到目前最新的128层堆叠技术，其每一代的技术研发大概需要一年的时间。如此，长江存储虽然号称要在2020年推出128层堆叠的产品，但结果是在目前半导体市场低迷，再加上三星与SK海力士两家公司几乎垄断市场，长江存储连32层堆叠的NANDFlash快闪存储器大量量产都有问题的状况下，更遑论要开发最新128层堆叠技术的产品，因此中国要发展NANDFlash快闪存储器产业就此受阻。
再谈到较NANDFlash快闪存储器技术更为复杂的DRAM产业时，虽然中国也一直视为重点发展产业，不过当前中国在这产业可说是一团混乱。原因是自2018年开始，原本积极布局服务器DRAM领域的厂商福建晋华，在受到美国禁售令的影响，目前已经逐步退出市场。尽管福建晋华在2011年就已经宣布推出32奈米制程的DRAM样品，只是在美国积极保护DRAM知识产权，而且祭出禁售令的情况之下，福建晋华是不是能够有机会推出这个规格的产品，目前还在未定之天。
