东芝日前正式宣布，公司已经开始正式试产符合 UFS 3.0 标准的内存存储方案，该方案主要将面向智能手机等移动设备。据悉，东芝这次试产的是全球首款符合 UFS 3.0 标准的内存存储方案，它们将基于东芝的 96 层堆叠 BiCS4 3D TLC 闪存技术，其速度号称可媲美高端 PC SSD 固态硬盘的性能。而这次试产的 UFS 3.0 闪存芯片共有 128GB 、256GB以及 512GB 三种容量，而在试产初期或将只有 128GB 一个容量，更大容量的规格将要等到 3 月份之后才有。

按照技术标准，UFS 3.0闪存的互联层有两个全双通通道，每个通道的最高数据传输率可达11.6Gbps(HS-Gear4)，双通道那就是23.2Gbps，换算一下即2.9GB/s。

按照这个试产规划，东芝有望成为第一个在智能手机中商用 UFS 3.0 闪存的厂商。

据东芝官方称，全新的UFS 3.0闪存基于96层堆叠BiCS4 3D TLC闪存技术打造而成，芯片主控由东芝自主研发。得益于双通道的设计，这款闪存芯片的传输速度高达23.2Gbps，换算下来即2.9GB/s。东芝官方使用512GB版本实测后，UFS 3.0闪存的顺序读写速度分别提高了约70％、80％，这一速度已经将UFS 2.1远远甩在身后。

当然，从现在的测试数据来看，相比UFS 2.1，UFS 3.0闪存大幅了提升了顺序读写速度，但随即读写速度的变化则很小。智能手机的日常使用过程中，随即读写对日常使用的流畅度影响会更大。因此，可能今年部分手机厂商会对手机的数据口下手，采用USB 3.0来提升手机文件转出转入的写入读取速度，以充分发挥UFS 3.0的技术优势。

东芝的UFS 3.0闪存，采用的还是双通道设计，颗粒为现在比较常见的TLC。现在来看的话，即使是在电脑硬盘上，TLC也已经成为了主流。虽然和MLC相比，TLC的寿命更短，但智能手机的生命周期相对比较短，TLC颗粒对它产生的负面影响几乎可以忽略不计。