各种     存储器   比较（PCM，STT     RAM   ，SRAM，     DRAM   ，Flash NAND，HDD），看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势。

综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势：

Endurance：代表器件最大的擦写次数；

STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；

SRAM：静态随机存储器，主要用来制造     CPU   与主板之间的缓存。

优点是速度快（可以看到这种存储器的读写速度是最快的）；

缺点是集成密度低，掉电不能保存数据。

DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。

Flash（NAND）：闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。

HDD：硬盘。

优点是价格低廉（这种存储器的单位容量所需要的价格是最低的，

缺点也是显而易见的，读写速度比其他存储器低很多数量级。