3月17日消息，据ZDnet报道，三星电子宣布，已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1。可以用户智能手机和平板，根据官方介绍，全新的512GB eUFS3.1闪存较上代写入速度提升200%，达到了1200mb/s，而上一代仅为410mb/s。
三星、海力士、镁光三家企业拥有全世界80%以上的闪存生产能力，尤其是三星主导了闪存行业的定价，对于大部分旗舰手机来讲，都会标配三星闪存。
根据三星介绍，新的eUFS3.1闪存还将有128G和256G容量，同时三星还透露，位于中国西安的X2线已经在本月开始生产第五代V-NAND（9x层），韩国平泽市的P1线将转向第六代V-NAND闪存（1xx层）芯片的量产。
在已经到来的5G时代，以三星为代表的eUFS3.1可以突破手机读写速度，带来更高效的操作体验，同时继续引领手机行业迈向更高的价位段。
这款新的闪存写入速度是之前的512GB eUFS 3.0的三倍，达到每秒1200 MB。三星表示，与使用固态硬盘或MicroSD卡的传统个人电脑相比，这将大大加快智能手机的数据传输速度。新一代闪存的串行读取速度为2100 MB / s，随机读取和写入速度分别为100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS。
除了512GB容量，三星的eUFS 3.1系列也将有256GB和128GB的容量。三星表示，其平泽工厂的P1生产线已经开始生产六代V-NAND。与此同时，其位于中国西安工厂的新X2生产线已经开始生产五代V-NAND。
据外媒mspoweruser报道，三星正在研发一款1英寸的1.5亿像素摄像头，将出售给小米、OPPO和vivo。
据悉，该传感器利用Nonacell技术将9个像素合并成1个，以实现更高的光吸收率，从而产生1600万像素的等效图像。
该报道称，小米计划在今年第四季度使用该传感器，而OPPO和vivo则计划在明年第一季度将该传感器与高通骁龙875芯片一起搭载在下一代旗舰机上。实际上，这两家公司要求使用2亿像素的传感器，但三星未能满足其需求。
不过目前还不清楚三星是否会在自家的手机上使用，预计该传感器很有可能出现在三星的旗舰机Galaxy Note 20或Galaxy S21上。
此外，今（17）日早间，数码博主@i冰宇宙也爆料了这一消息。
