12月7日消息，格芯今天宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP目前可用于其300mm晶圆制造平台的原型设计。这表明300mm生产线将形成规模优势，进而促进数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长。借助格芯的300mm专业生产技术，客户可以充分提高光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用产品的生产效率和再现性能。

8月底Globalfoundries（格罗方德，简称GF）公司宣布放弃7nm及节点工艺研发，专注目前的14/12nm FinFET及22/12FDX工艺。这一变化导致AMD将7nm工艺的CPU、GPU芯片订单全部交给台积电代工，另一家公司IBM也选择台积电代工未来的Power处理器。GF放弃7nm工艺虽然让他们无法参与未来高性能CPU/GPU竞赛，不过对GF自己来说这次可以说甩掉了负担，现在他们专注更赚钱的RF射频芯片业务了，上周GF宣布推出业界首个300mm硅锗晶圆工艺，该技术提供出色的低电流/高频率性能，改善了异质结双极晶体管(HBT)性能，与之前的硅锗 8XP和8HP相比，最大振荡频率(Fmax)提高了35％，达到370GHz。

硅锗晶圆是一种特殊的半导体工艺，传统半导体是硅基晶圆为主，不过金属锗具备优秀的电气性能，成本与硅晶圆相当，比砷化镓工艺更低，在FR射频芯片中使用较多，该技术是IBM发明的，但GF公司收购了IBM的晶圆业务，继承了IBM在硅锗晶圆技术上的衣钵并发扬光大，这次推出的300mm硅锗晶圆就是业界首次，因为之前的硅锗晶圆主要使用200mm晶圆。

该工艺被称为9Hp（一种90nm硅锗工艺），相比目前的8XP/8HP使用的130nm工艺，9Hp工艺还提升到了90nm水平，其生产工厂迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂以实现300mm晶圆生产技术。

格芯是高性能硅锗解决方案的行业领导者，在佛蒙特州伯灵顿工厂用200mm生产线进行生产。将9Hp(一种90nm 硅锗工艺)迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂实现300mm晶圆生产技术，将会保持这一行业领先地位,并奠定300mm晶圆工艺基础，有助于进一步发展产品线，确保工艺性能持续增强和微缩。

「高带宽通信系统日益复杂，性能需求也随之水涨船高，这些都需要更高性能的芯片解决方案，」格芯的RF业务部副总裁 Christine Dunbar表示。「格芯的9HP旨在提供出色的性能，其300mm生产工艺将能够满足客户的高速有线和无线组件需求，助力未来的数据通信发展。」

格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势，支持微波和毫米波频率应用高数据速率的大幅增长，适用于下一代无线网络和通信基础设施，如 TB级光纤网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器仪表和防御系统。该技术提供出色的低电流/高频率性能，改善了异质结双极晶体管(HBT)性能，与之前的硅锗 8XP和8HP相比，最大振荡频率(Fmax)提高了35％，达到370GHz。

在纽约东菲什基尔的Fab 10工厂，正在进行基于多项目晶圆(MPW)的9HP 300mm工艺客户原型设计，预计2019年第二季度将提供合格的工艺和设计套件。在退出7nm高性能工艺节点研发之后，RF射频芯片相关的业务已经称为GF公司的重点。