3月7日消息，三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM（嵌入式磁随机存取存储器），采用三星的28FDS（28nm FD-SOI，耗尽型绝缘层上硅）工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期，这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性，随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

由于eFlash所面临的可扩展性挑战，新一代eMRAM (嵌入式磁性随机存取存储器)应运而生，依靠非易失性、更强的随机性能和耐久性，因此被业内各家巨头纷纷看好。作为储存技术佼佼者，SAMSUNG（三星）总是走在最前面，首批eMRAM已在三星京畿道Giheung电子半导体工厂下线。

据了解，三星eMRAM采用28nm工艺、FD-SOI技术打造，也叫28FDS eMRAM，首批下线颗粒容量为1GB。通过创新28FD-SOI技术可有效减少漏电发生，具有更好的稳定性，而且可提供差异化定制方案，适用于包括微控制器单元（MCU），物联网（IoT）和人工智能（AI）等设备中。

三星展示eMRAM结构

eMRAM利用磁致电阻的变化表示二进制0或1，通过测量一个存储单元的电阻来实现读取操作。这种芯片拥有SRAM的高速读取能力和DRAM的高集成度。同时由于其特殊的存储方式，所以也拥有非常高的P/E次数。可谓未来最好的存储芯片选择。三星宣称他们基于28FDS工艺的eMRAM技术能提供更低的成本和功耗，在写入速度上也更具优势。其物理特性决定在写入数据前不需要擦除周期，写入速度比现在的eFlash快1000倍。eMRAM在工作时电压比eFlash更低，所以功耗更低。

工作原理

三星能将eMRAM的成本控制得较低的原因是这次他们可以轻松地与现有逻辑芯片制造工艺进行集成，仅需要在流程工艺后端添加少量的几个层即可完成制造。通过这种模块化的设计既可以享受现有制造工艺带来的低成本优势，又可以享受到新技术带来的性能提升。

性能方面，官方表示写入延迟比eFlash爆降大约一千倍，而且eMRAM比eFlash具有更好的功耗表现，在断电模式下几乎可以做到不消耗电力，从而为设备高效节能。

三星宣布将在今年扩大其高密度非易失性存储器解决方案的选择范围，包括在今年推出1Gb的eMRAM的测试芯片。而在此之前，Intel也在不久前宣布他们也已做好eMRAM芯片的大批量生产的准备。随着存储器大厂逐渐开始量产eMRAM芯片，不久后我们将能够用上这种低功耗高性能的存储芯片。