Microchip Technology宣布了一种耐辐射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash存储器件，具有理想的总电离剂量（TID）容限，可在恶劣的太空任务辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。

它是Microchip的空间就绪型微控制器（MCU），微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）的理想伴侣，后者为这种可扩展的开发模型提供了构建模块。

Microchip航空航天和国防业务部门副总裁Bob Vampola表示：“ SST38LF6401RT SuperFlash器件进一步增强了我们可扩展的方法，可使用我们的耐辐射或辐射硬化的微处理器和FPGA来开发整个太空系统解决方案。” “它为这些空间系统需要的最可靠的数字处理提供了至关重要的保护，其中需要配套的闪存来存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流。”

SST38LF6401RT器件即使在Flash仍处于偏置和运行状态时，也能耐受高达50千拉德（Krad）的TID，使系统能够在各种空间应用中运行，这些应用无法承受可能导致严重后果的代码执行损失，缺陷和系统损失。它是Microchip基于SAMRH71Arm®Cortex®-M7的辐射增强SoC处理器的理想伴侣，也可以与公司的RTPolarFire®FPGA一起使用，以支持飞行中系统的重新配置。该器件与其工业版本具有引脚分配兼容性，可轻松过渡到印刷电路板（PCB）级别的空间合格的塑料或陶瓷版本。SST38LF6401RT的工作电压范围为3.0至3.6伏（V）。

SST38LF6401RT SuperFlash器件现在以陶瓷版本提供样品，并有评估板和演示软件支持，可应要求提供。还可以根据要求提供FPGA飞行编程参考案例，以将SuperFlash器件与FPGA和SAMRH71处理器与支持软件结合在一起。

通过从经过验证的汽车或工业标准产品系列中，选择相关器件并增加硅工艺改进，Microchip为它们提供了增强的保护，使其更不受重离子环境中的单事件闩锁影响。经过略微修改的设备的辐射性能得到充分表征，并通过针对每个功能块的专用辐射报告得到支持。该设备用于从运载火箭和卫星到空间站的各种应用。设计人员可以使用易于获取的COTS器件开始系统实施，然后再将其替换为引脚兼容的空间合格的等效物，并采用高可靠性的塑料或陶瓷材料封装。