1月30日，三星今天在官网发布业界首款容量1TB的“嵌入式通用闪存存储器”(eUFS)，并开始正式投产，它采用三星第五代V-NAND技术，能够为下一代移动设备带来更出色的使用体验。三星计划在2019上半年扩大将位于韩国Pyeongtaek工厂种第五代512Gb V-NAND产量，以满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的需求。

内存竞赛在手机行业越演越烈，最大RAM容量已经提升到12GB，最大的ROM容量也提升到1TB。手机上常见的ROM存储有eMMC、UFS两种，其中最受旗舰手机欢迎的则是UFS存储。

在相同封装尺寸(11.5mm x 13.0mm)内，1TB eUFS解决方案将先前512GB版本的容量提升了一倍，将16个堆叠的三星最先进的512千兆位(Gb)V-NAND闪存和新开发的专有闪存控制器组合在一起。新的eUFS速度高达每秒1,000MB/s，随机读写分别为58,000 IOPS和50,000 IOPS，相比512GB提升38%。

三星计划在2019年上半年在其位于韩国平泽的工厂扩大其第五代512Gb V-NAND的产量，以充分满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的强劲需求。

可能有的人不知道三星家的eUFS的强大之处，我们通过官方的介绍了解一下：

与 eMMC 相比，eUFS 在读取速度方面表现出更强的性能，顺序读取速度提升高达 40%。当在系统(Gen1 5Gbps、Gen2 10Gbps)上优化 USB 3.1 性能时，文件复制操作可提高 40% 的性能。

eUFS不仅传输速度还快，还降低了功耗，因而能提供更出色的能效。实际上，在相同的工作负载下，UFS 展现出比 eMMC 高 8% 的电池寿命。处理相同工作负载的实际工作时间减少 30%。

目前eUFS已经进入到了3.0时代，它将于2019年上半年推出，首批将有128GB、256GB、512GB三种大小的存储容量，最大数据传输速率为2000MB/s，2021年出货1TB存储容量。

据悉eUFS 3.0规范发布于去年年初，单通道带宽提升到11.6Gbps，理论最大速度约2.9GB/s，相较于目前旗舰机普遍采用的UFS 2.1直接翻番。

三星电子内存营销执行副总裁Cheol Choi表示：“预计1TB eUFS将在推动下一代移动设备的发展上起到关键的作用”。