11月27日消息，特拉华大学电气与计算机工程助理教授曾玉萍（Yuping Zeng）团队最近发明了一种高电子迁移率晶体管，该晶体管使用氮化镓和氮化铝铟作为硅底上的势垒，从而放大并控制电流。这种新型晶体管具有创纪录的性能，包括创纪录的低栅极泄漏电流（衡量电流损耗），创纪录的高开/关电流比（导通状态与导通状态之间传输的电流差的大小）和创纪录的高电流增益截止频率（在宽频率范围内可以传输多少数据）。

高电子迁移率晶体管

这种晶体管可用于更高带宽的无线通信系统。对于给定的电流，与其他类型的设备相比，它可以处理更多的电压，并且需要的电池寿命更少。

曾玉平教授致力于晶体管的设计，这些晶体管可以实现更便宜，更快的无线通信

曾助教说：“我们之所以制造这种高速晶体管，是因为我们想扩展无线通信的带宽，这将在一定的时间内为我们提供更多信息。它还可以用于太空应用，因为我们使用的氮化镓晶体管具有很强的抗辐射能力，它还是宽带隙材料，因此可以承受很多功率。”

该晶体管代表了材料设计和器件应用设计方面的创新。晶体管是在低成本的硅基板上制成的，而且该工艺还可以与硅互补金属氧化物半导体技术兼容，这是用于半导体的常规技术。

曾助教表示：“无论是在低功耗应用还是在高速应用方面，我们都在努力打破自己的记录。” 该团队还计划使用其晶体管制造功率放大器，这对无线通信以及其他物联网特别有用。

曾玉萍助教

该团队还在研究透明的钛氧化物晶体管，可用于背板显示器，与目前商业上使用的铟镓锌氧化物晶体管的技术竞争。

该研究的另外一位科学家，电气和计算机工程专业的工程学教授丹尼斯·普拉瑟说：“随着5G时代的到来，我们很高兴看到曾教授的创纪录晶体管在这一领域做出了杰出贡献。”