日前，英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。尽管InGaN基蓝光和绿光LED都已商用量产，但红光LED通常基于AlInGaP材料或颜色转换的红光。对于AR应用来说，由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转换过程造成的腔损耗，实现高效超小间距红色像素（<5μm）仍然遥不可及。

图片来源：Plessey

与现有的基于AlInGaP的红光相比，基于InGaN的红光具有更低的制造成本、可扩展至更大的200mm或300mm晶圆以及更好的热/冷系数，因此具有极大的吸引力。

然而，由于铟含量高，在有源区中引起显著的应变，从而降低了晶体质量并产生了许多缺陷，因此，使用InGaN材料实现红色光谱发射具有挑战性。Plessey通过使用专有的应变设计的有源区来制造高效的InGaN Red LED，成功克服了这些挑战。

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Plessey的InGaN Red Micro LED在10A/cm2时的波长为630nm，半峰全宽为50nm，热冷系数超过90%，并且在超小像素间距中，其效率高于传统的AlInGaP和颜色转换的红光。有了这个结果，Plessey现在可以制造天然的蓝、绿和红InGaN材料，或者使用其GaN-on-Silicon平台调谐400至650nm的波长。

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Plessey外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan表示：“这是一个令人振奋的结果，因为它为低成本制造超小间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径，将加速Micro LED在AR微型显示器和移动/大型显示器应用中的采用。”

Plessey 的使命是成为世界领先的公司，开发用于显示引擎和全场发射 microLED 显示器的创新照明。这些复杂设备将高密度 RGB 像素阵列与高性能 CMOS 背板相结合，为头戴式显示器和可穿戴电子设备提供高亮度、低功耗和高帧率的图像源，用于增强现实和虚拟现实系统。

AIXTRON 欧洲副总裁 Frank Schulte 博士说：“我们相信 AIX G5+ C 将以最佳方式支持 Plessey 的要求，以满足最严格的 microLED 生产要求。该工具提供更高效的配置，同时满足硅行业在均匀性和颗粒方面最严格的要求。”

Plessey 首席运营官 Mike Snaith 解释说：“我们与 AIXTRON 持续和宝贵的合作关系使 Plessey 能够迅速将其单片 microLED 推向市场。为了帮助我们实现这一目标，我们最新收购的 AIX G5+ C 行星系统以最低的拥有成本将出色的晶圆均匀性和运行性能相结合 - 这对于高效大容量 GaN-on-silicon microLED 显示器至关重要。”

为解决制造 microLED 所涉及的各种挑战，包括大容量和具有成本效益的生产能力，Plessey 积极与潜在客户合作，以使用其尖端的生产就绪型 microLED 技术平台。