11月6日消息，据亦庄时讯报道，世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产，研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域，实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。

世纪金光成立于2010年12月24日，是一家致力于第三代宽禁带半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。

据悉，世纪金光自主设计开发的功率元器件和模块制备覆盖碳化硅肖特基二极管（SBD）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块，已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域。

而为了持续推进第三代半导体碳化硅产品的研发与应用，世纪金光还将成立联合实验室和联合应用中心，共同推动基于第三代半导体功率器件在新能源汽车、充电桩、光伏、航空航天等领域的应用。

    并实现小批量试产  

据了解，北京世纪金光半导体有限公司研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域，实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

根据中国机床工业协会磨料磨具专委会碳化硅专家委员会的数据，截至2012年底，全球碳化硅产能达260万吨以上，产能达到1万吨以上的国家有13个，占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨，占全球总产能的84%。碳化硅电力电子器件将广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通讯雷达和航空航天等重要国民经济和军工领域。

制约碳化硅衬底发展的根本原因是质量和成本。为了解决行业难题，世纪金光研发团队开发出新的晶体生长与晶片加工技术，提高晶片的出片率，降低成本50%以上，压低国际同类产品的价格；通过改造创新，实现了6英寸晶体生长的技术突破，缩短了与国外的差距。

近几年来，世纪金光创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET材料、结构及工艺设计技术等。目前已完成从碳化硅功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。

依托在碳化硅领域关键技术的研发与储备，世纪金光碳化硅6英寸单晶生长已经研制成功并实现小批量试产；自主设计开发的功率器件和模块制备覆盖碳化硅肖特基二极管（SBD）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块，已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域。

在应用中高效化、小型化、轻量化和低耗化等特性显现出来，在光伏行业，碳化硅功率器件主要应用于分布式光伏逆变器，可使逆变器峰值效率达到99%以上，自身功率损耗降低70%以上，体积减小1/5以上。在高性能服务器电源行业，主要应用于电源PFC部分，可使系统效率提升至超过99%。

据世纪金光相关负责人介绍，为了持续推进第三代半导体碳化硅产品的研发与应用，将以产学研用为基础，加强产业链上下游协同创新，与行业典型客户在产品应用、联合开发、技术交流、产业链协同创新等多个层面进行深度合作，将核心关键技术进行“强强联合”。还成立了多个联合实验室和联合应用中心，加强战略合作，共同推动基于第三代半导体功率器件在新能源汽车、充电桩、光伏、航空航天等领域的应用。