2019     年全球分立功率半导体器件的市场规模达到       403       亿元，       2015-2019       年复合增长率为       5.3%       。在中国市场，分立功率半导体器件的市场规模呈现增长，由       2015       年的       110       亿美元增至       2019       年的       145       亿美元，复合年增长率约       7.3%       。    

    全球市场规模不断增加      

    分立功率   半导体器件     指用于   电力电子     作为开关或整流器的分立半导体器件，且与其他功率器件组装时作为功率    IC     的一部分。分立功率半导体器件可分为三极管、品闸管和二极管。    

     2019     年全球分立功率半导体器件的市场规模达到       403       亿元，       2015-2019       年复合增长率为       5.3%       。未来，随着全球需求的普遍增加，加上中国制造分立器件的能力增长，预计市场规模将会继续增长。    

    在全世界上，除    MOSFET     之外的三极管如       IGBT       及       BJT       在按产品类别划分的市场份额一直维持行业前沿，       2019       年占       36.9%;       市场份额排在第二位的是二极管，       2019       年占比为       32.7%;MOSFET       市场份额为       26.0%       ，排名第三。    

        MOSFET   在中国市场占据首位      

    在中国市场，分立功率半导体器件的市场规模呈现增长，由    2015     年的       110       亿美元增至       2019       年的       145       亿美元，复合年增长率约       7.3%       。展望未来，依据全球需求的普遍上升，加上中国制造分立器件如       MOSFET       、二极管及三极管的庞大产能，市场规模预期将会持续增长。    

    按器件类别划分，    MOSFET     在分立功率半导体器件当中排名首位，       2019       年占市场规模的       36.3%       ，其次为二极管、其他三极管       (       包括       IGBT)       及晶闸管，市场份额分别为       32.2%       、       26.0%       及       5.5%       。    

    在    MOSFET     下游应用       (       如电动车、工业物联网       (       连接至互联网的实体装置，即       IoT)       及消费电子产品       )       的快速发展基础下，按       MOSFET       销售额划分的市场规模已由       2015       年的       37       亿美元增至       2019       年的       53       亿美元，复合年增长率约       9.2%       。    

     2019     年中国的       MOSFET       、       IGBT       及二极管之出口值分别为       24.39       亿元、       20.91       亿元及       15.95       亿元，自       2015       年至       2019       年分别按       4.0%       、       4.7%       及       3.9%       的复合年增长率增长。    

    通过资金投资及科学合作发挥的巨大力量使电子产品及半导体器件的核心技术持续突破。例如，晶圆尺寸持续扩大以满足容纳更多微芯的需求且中国硅料供应商的目标为在国内开发更大的    12     英寸晶圆，以取代现有的六英寸晶圆。因此，分立功率半导体器件制造商若具备敏感度并能符合新发展技术趋势，将能建立其竞争优势。    

    更多数据请参考前瞻产业研究院《中国半导体分立器件制造行业发展前景与投资预测分析报告》，同时前瞻产业研究院提供产业大数据、产业规划、产业申报、产业园区规划、产业招商引资、    IPO     募投可研等解决方案。