韩国首尔半导体（Seoul Semiconductor）开发出了在1mm见方蓝光LED芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白光LED，并在“日本第5届新一代照 明技术展”（2013年1月16～18日于东京有明国际会展中心举行）上展出。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高亮度。目前，三菱化学媒体公司 (Mitsubishi Kagaku Media)已决定在LED灯泡产品（品牌名称为“Verbatim”）上采用此次的开发品，预定从2013年3月开始量产。

可轻松提高光输出功率是因为利用了GaN晶体的“非极性面”，并且抑制了晶体缺陷。此次开发品使用的蓝光LED芯片是在三菱化学制造的GaN基板的非极性面上、生长出GaN类半导体晶体而成。

普通的蓝光LED芯片是使GaN类半导体在蓝宝石基板上生长而成的，此时利用的是GaN晶体的c面（极性面）。

非极性面是与极性面垂直的面。以极性面为生长面时会产生压电电场，使注入发光层的电子与空穴分离，导致促成发光的再结合概率降低。而以非极面为生长面则不易受到压电电场的影响，因此可轻松提高发光效率。

此次开发品的晶体缺陷最少时仅为1×104cm-2。普通的蓝光LED芯片由于蓝宝石基板与蓝宝石基板上的GaN类半导体的晶格常数有很大差异，因此晶体缺陷密度达到5×108cm-2。

凭借上述手段，开发品即使在高电流密度下，光输出功率也不易降低，从而提高了单个白光LED的光输出功率。今后的目标是通过1mm见方的蓝光LED芯片与荧光体的组合，实现1000lm的光通量。

首尔半导体还在展区介绍称，该公司正在开发利用GaN晶体非极性面的紫外LED芯片。将紫外LED芯片与红、绿、蓝色荧光材料组合后，便可 轻松实现显色性高的照明及色彩表现范围大的液晶面板用背照灯。不过，紫外LED目前还存在发光效率比蓝光LED低的课题。因此，该公司打算利用非极性面来 实现高发光效率的紫外LED。

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