虽然现在台积电已经量产7纳米，明年将向6纳米过渡，两至三年后将来到3纳米级别，但内存的     制造   半导体制程工艺进入20纳米之后，制造就难度越来越高，继续提升制程工艺费效比越来越低，内存芯片厂商对工艺的定义已经不是具体的     线宽   ，而是希望通过两代或三代1Xnm节点去升级     DRAM   ，由此称为1Xnm、1Ynm、1Znm。大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

而通过美光的D     RAM   技术路线图显示，美光将继续扩展多个10纳米级节点，除了已经投产的第一代10纳米（1X）和第二代10纳米（1Y），目前开始量产第三代10纳米（1Z），首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X     存储器   。

接着，美光还将扩展三个10纳米级别节点：1 α，1 β和1 γ（注意，是希腊字母）

目前，美光公司正在加大其用于制造各种产品的第二代10nm级制造工艺（即1Y nm），该工艺用于制造该公司的各种产品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4     存储   器件。

而美光的下一代1Z nm正准备进入量产阶段，首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。然后用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。

1Z nm节点之后，美光计划开始使用其1αnm制造技术，接着是1βnm制造工艺，然后是1γnm技术的可行架构的验证。
来源：吴川斌的博客