11月12日消息 根据外媒TechPowerup的消息，SK海力士公司宣布已开发出1Ynm 8GB DDR4 DRAM。与上一代1Xnm DRAM相比，该产品的效率提高了20％，功耗降低了15％以上。它还支持高达3,200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。该公司采用“4相时钟”方案，使时钟信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性。

今年的双十一电脑硬件的价格其实并没有太大的变化，相比固态硬盘的跳水式降价，内存的价格却依然坚挺。8GB的DDR4内存条还维持在350块的价位，与之前的200块8GB内存还相差甚远。然而一下的这则消息可能会让你对明年的内存市场抱有希望。

近日SK海力士已经宣布，基于1Ynm工艺的DDR4内存芯片已经研发成功，单颗1GB容量，最高支持3200MHz的频率。重要的是，相比于之前的1Xnm DRAM，最新的1Ynm DRAM可以实现15%的功耗下降以及20%的生产效率提升，这意味的可以让内存条的超频性能更强并且内存的产量也有对应的上涨。

与此同时，SK海力士还推出了自己的Sense Amp技术，旨在降低DRAM芯片的功耗以及数据出错可能性。官方宣称这款1Ynm的DDR4 DRAM芯片计划在明年第一季度出货，率先会应用在服务器以及PC的产品上，然后会向手机等移动设备推广。

SK海力士还推出了自己的Sense Amp 控制技术，以减少功耗和数据错误。SK海力士改进了晶体管结构，降低了数据错误的可能性。该公司还降低了芯片的功耗，以防止不必要的损耗。“这款1Ynm 8GB DDR4 DRAM为我们的客户提供了最佳的性能和密度，”DRAM营销主管Sean Kim说。“SK海力士计划从明年第一季度开始出货，积极响应市场需求，”他补充说。

SK海力士计划将1Ynm技术流程扩展到服务器和PC领域，后来扩展到其他各种应用，如移动设备。官方称，1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年一季度出货，率先用于服务器和PC产品上，最后向手机等领域推广。

实际上，DRAM芯片制造工艺突破20nm制造工艺之后，厂商对工艺的描述不再使用具体的数字，首先是1Xnm，随后到1Ynm，最后是1Znm。至于具体的含义，还需要厂商的解释。