射型     收发器   逻辑-收发器电压钳位（GTL-TVC）提供低ON状态     电阻   和最小传输延迟的高速电压变换。GTL2002提供2个带有共栅（GREF）的NMOS传输     晶体管   （Sn和Dn）和一个参考     晶体   管（SREF和DREF）。该器件允许1.0V和5.0V之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。

当Sn或Dn端口为低电平时，钳位处于通态且Sn和Dn端口之间存在低电阻连接。假设Dn端口上为更高的电压，当Dn端口为高电平时，Sn端口上的电压限制为参考晶体管（SREF）设置的电压。当Sn端口为高电平时，上拉电阻会将Dn端口上拉至VCC。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换，而无需方向控制。

所有晶体管具有相同的电特性，输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的，所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同，所以可在任何其他两个匹配Sn/Dn晶体管上寻找SREF和DREF，允许更方便的     电路板   布局。转换器的晶体管为低电压器件提供极佳的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。

特性：

2位双向低电压变换器

允许1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5V总线（允许直接连接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5VCMOS电平）之间的电压电平变换

提供双向电压变换，无方向引脚

输入和输出引脚（Sn/Dn）之间有低6.5Ω导通状态     阻抗   （Ron）

支持热插入

无需电源；不会闭锁

5V耐受输入

低待机     电流  

直通引出线便于     印刷电路板   走线排布

ESD保护：超过2000VHBM（根据JESD22-A114）；超过1000VCDM（根据JESD22-C101）

提供的封装：SO8、TSSOP8（MSOP8）、VSSOP8、XQFN8

责任编辑：gt