msp430内存Flash读写

1、msp430的存储结构采用冯。依曼结构,即RAM和Flash在同一个寻址空间内统一编址,没有代码空间和数据空间之分。

2、Flash是以段为为基本结构进行存储的。总体上分三部分:

Flash主存储区: 用于存储程序代码,被分成4个扇区,每个扇区分128seg, 每个seg段 大小为 64 * 1024 / 128 = 512B。 Flash控制器可以以位、字节、或者字的格式写入Flash控制器。但是控制器最小的擦除单位是段 。

BSL存储区: 是存储器的引导加载存储器,可以用于存储引导加载程序,分4段,每段512B,每段可以单独擦除、信息存储区: 主要用于存储需要掉电后永久保存的数据,分4段,每段128B。 每段可以单独擦写。

3、Flash内存模型

 msp430内存Flash读写_设计制作_可编程逻辑

4、内存组织

 msp430内存Flash读写_设计制作_可编程逻辑

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