12月1日消息，全球创新的定制化光电解决方案技术领导者埃赛力达科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期推出增强型Gen2 905 nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管。第二代905 nm脉冲激光二极管采用多层单片式芯片设计，具有更高效率（3 W/A），可实现更远距离的测量并降低了功耗，同时改进了GaAs结构，可在30 A的驱动下提供85 W的脉冲峰值功率，与第一代产品相比激光功率增加了20%以上。

作为工业和消费类测距以及涉及飞行时间测量的LiDAR激光雷达应用的理想解决方案，增强型脉冲激光二极管的设计含有三个225μm x 10μm的的激光腔，可在较小发射区域内提供高输出功率。激光芯片采用经TS 16949认证的大批量生产的金属有机化学气相沉积（MOCVD）制成。其性能和优势包括：

• 输出功率提高了20％以上：客户的测距仪可以测量更远的距离，或以较低的功耗测量相同的距离

• 三腔设计：提供的光功率是单腔设计的三倍

• 塑料TO封装：适用于大批量应用的经济高效型解决方案

Excelitas探测器部门产品负责人Denis Boudreau表示：“很高兴Gen2 905 nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管加入到我们广泛的塑料封装脉冲激光二极管系列中。我们的增强型技术使其成为市场上波长为905 nm的质量和效率最高的塑料封装脉冲激光二极管，为工业和消费类测距应用中的飞行时间测量的设计工程师们提供了强大且经济高效的解决方案。”

Gen2 905 nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管现已面市销售，它采用标准塑料TO封装，Excelitas将于2021年推出表面贴装版（SMD）和金属TO封装版。