​Microchip发布700V和1200V碳化硅肖特基二极管(SBD)

Microchip发布了最新一代AEC-Q101认证的汽车用700伏和1200伏碳化硅肖特基二极管(SBD)。汽车电子委员会(AEC)-Q101认证旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和坚固性。


10月28日,随着汽车电气化在全球范围内的持续快速增长,从电动机到车载充电的DC转换器,都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。微芯片技术公司(Nasdaq:MCHP)今天宣布其新的合格700和1200V SiC肖特基二极管(SBD)电源设备,为电动汽车(EV)系统设计人员提供满足严格汽车质量标准的解决方案,涵盖广泛的电压、电流和封装。


​Microchip发布700V和1200V碳化硅肖特基二极管(SBD)_业界动态_数字化


对于需要在保持高质量的同时提高系统效率的电动汽车电源设计人员来说,Microchip的AEC-Q101合格设备最大限度地提高了系统的可靠性和耐用性,并使应用寿命稳定持久。这种器件优越的雪崩性能使设计者能够减少对外部保护电路的需求,降低系统成本和复杂性。


Microchip离散产品业务部副总裁莱昂·格罗斯说:“作为汽车行业的长期供应商,微芯片不断扩展的汽车电源解决方案正引领着汽车电气化动力系统的变革。”。“我们的解决方案的重点是为客户提供最优质的解决方案,以帮助客户轻松实现转型。”


微晶片一直是汽车工业的供应商超过25年。该公司的SiC技术,以及其多个IATF 16949:2016认证制造设施,通过灵活的制造替代品提供高质量的设备,有助于将供应链中的风险降至最低。


通过微芯片内部测试和第三方测试,关键的可靠性指标证明了微芯片器件与其他碳化硅制造的器件相比具有优越的性能。与其他在极端条件下会退化的SiC器件不同,微芯片器件的性能没有下降,延长了应用寿命。微芯片SiC解决方案在可靠性和耐用性方面处于行业领先地位。该公司的SiC SBD耐用性测试表明,在无夹持感应开关(UIS)中,在高温下的最低泄漏电流中,能量承受能力提高了20%,延长了系统寿命,并实现了更可靠的运行。


Microchip的SiC汽车电源设备补充了其广泛的控制器、模拟和连接解决方案组合,为设计者提供了电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用其最新一代SiC芯片提供了700、1200和1700V SiC SBD和金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)功率模块的广泛投资组合。此外,其dsPIC®数字信号控制器提供高性能、低功耗和灵活的外围设备。Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加速了从设计阶段到生产阶段的过程。这些解决方案还应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。


Microchip的AEC-Q101合格SiC SBD设备由SPICE和PLECS仿真模型和MPLAB®Mindi支持™ 模拟模拟器。此外,还提供了一个PLECS参考设计模型,该模型使用Microchip的SBD(1200V,50A)作为功率级的一部分——维也纳三相功率因数校正(PFC)参考设计。


Microchip的AEC-Q101认证的700和1200V SiC SBD设备(也可作为功率模块的模具)现在可以批量生产订单。


Microchip Technology Inc.是智能、连接和安全嵌入式控制解决方案的领先提供商。其易于使用的开发工具和全面的产品组合使客户能够创建优化的设计,从而降低风险,同时降低系统总成本和上市=时间。公司的解决方案服务于超过120000个客户,遍及工业、汽车、消费、航空航天和国防、通信和计算市场。总部设在亚利桑那州钱德勒,微芯片提供卓越的技术支持以及可靠的交付和质量。


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