据businesskorea报道，SK海力士基于96层4D NAND技术开发了一种one-terabit (Tb) quadruple level cell (QLC)闪存芯片。具有更大数据存储容量的高集成产品标志着SK海力士NAND内存业务的全面启动。SK海力士5月9日宣布，它向固态硬盘(SSD)控制器制造商提供了新产品的样品。该产品可以定义为现有96层charge trap flash (CTF) 4D NAND和公司的QLC设计技术的结合。

QLC是将四位数据存储在NAND单元中，是数据存储的最小单元。NAND flash分为SLC(每个单元1位存储)、MLC(每个单元2位存储)、TLC(每个单元3位存储)和QLC(每个单元4位存储)。换句话说，QLC的数据存储容量是同一区域SLC的4倍。QLC允许在同一区域进行更高程度的集成，因此可以以节省成本的方式实现高容量产品。然而，这是很难做到的，因为它需要一个非常高水平的单元集成在一个像钉子一样小的芯片上。一个Tb QLC需要2748亿个集成单元。这一次，SK海力士成功地将芯片堆叠成96层。

此外，SK 海力士利用4D NAND的优点，即小平面，采用了四平面结构。平面是指在单个单元及其外围电路中独立工作的单元的集合。SK 海力士的新产品使用四个平面同时处理64 KB的数据，而现有产品使用两个平面同时处理32 KB的数据。

Silicon Motion首席执行官Wallace Kou表示，SK海力士的工程样本充分满足了一般消费者对SSD的可靠性和性能要求。Silicon Motion是一家开发及销售固态硬盘控制器及NAND储存设备的台湾公司。SK海力士正计划开发基于新产品的QLC软件算法和控制器，以尽快推出解决方案产品。市场研究公司IDC最近报告称，QLC在全球NAND闪存市场的比例预计将从今年的3%升至2023年的22%。

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。2012年更名SK hynix。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。