6月26日，SK海力士宣布，将量产首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后，时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导，SK海力士为使用TLC设计（每个Cell单元上安装3bit）开发新产品，应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术，制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品，不仅达到业界最高堆栈数，也超越三星电子量产的90层NAND。

虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品，但TLC的性能、处理速度皆优于QLC，在NAND市场中，TLC产品市占率更达85％。因此SK海力士首次以TLC技术开发出高容量NAND，备受外界关注。

特别的是，虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层，制程手续却减少5％，加上128层4D NAND的每硅片位元生产率比96层4D NAND高4成，即使不使用PUC技术（外围电路），128层4D NAND的位元生产率仍然能提高15％以上。SK海力士对此说明，通过此方式能节省转换新制程的花费，和上一代转换投资费用相比，约能减少6成。《朝鲜日报》指出，这是SK海力士活用去年10月开发的4D NAND工艺平台，并优化制程的成果。

SK海力士计划下半年开始销售128层4D NAND闪存。SK海力士相关人士表示，该产品即使在低电压（1.2V）环境，也能达到1400Mbps数据传输速度，适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案，以及企业用SSD（固态硬盘）中。

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。