8月28日，武汉新芯二期扩产项目现场推进会在东湖高新区召开，武汉市委副书记、代市长周先旺出席会议并讲话。他强调，要加快突破重大核心技术，加快打造“国之重器”，推动“中国芯武汉造”早日成为现实。武汉新芯集成电路制造有限公司启动二期扩产项目，预计总投资17.8亿美元（约120亿人民币），该项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台。

中国工程院院士、华中科技大学校长丁烈云出席会议。武汉市领导张曙、龙良文，东湖高新区管委会主任刘子清、常务副主任陈平，市政府秘书长刘志辉与会。

武汉新芯集成电路制造有限公司成立于2006年，产品覆盖主消费类、工业物联网、汽车电子等终端市场。实施武汉新芯二期扩产项目，旨在抓住物联网和5G应用的市场机遇，把武汉新芯建设成为中国物联网芯片的领军企业。由省市区三级政府集体决策投资 107 亿，建设中部地区第一条 12 英寸集成电路生产线，2008 年建成投产。

目前，武汉新芯拥有 1.2 万片/月的代码型闪存和 1.5 万片/月的背照式影像传感器的生产能力，荣获“2017 年中国半导体制造十大企业”称号。2016 年，在武汉新芯基础上，紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司，武汉新芯整体并入长江存储，成为长江存储全资子公司。

周先旺指出，集成电路是“国之重器”，是国家战略性、基础性和先导性产业，事关国家安全和国民经济的命脉。推进武汉新芯二期扩产项目建设，是武汉服务国家战略和勇担国家使命的重大机遇，对武汉建设具有全球影响力的产业创新中心，促进经济高质量发展具有重要意义。周先旺强调，武汉市正以国家存储器等重大产业项目为龙头，着力构建“芯—屏—端—网”的全产业链，大力发展世界级光电子信息产业集群。他表示，武汉市将竭诚为武汉新芯做好服务，全力支持企业发展壮大。

据介绍，为抢抓物联网和 5G 应用为半导体领域带来的重要机遇，该项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台。