这几年,天字一号代工厂台积电在新工艺进展上简直是开挂一般的存在,7nm工艺全面普及,5nm工艺一路领先,3nm工艺近在眼前,2nm工艺也进展神速。

根据最新报道,台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,虽未披露细节,但是据此乐观预计,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,2024年就能步入量产阶段。

台积电还表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续挺进1nm工艺的研发。

台积电预计,苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺。

2nm工艺上,台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管),甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管),也就是纳米线(nanowire),而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管),也就是纳米片(nanosheet)。

从GAAFET到MBCFET,从纳米线到纳米片,可以视为从二维到三维的跃进,能够大大改进电路控制,降低漏电率。

当然,新工艺的成本越发会成为天文数字,三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4．8亿美元,3nmGAAFET上会大大超过5亿美元。