中芯国际首款“N+1”工艺芯片流片成功,为国产芯再立新功

10月11日,中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技(INNOSILICON)发布:已完成了全球首个基于中芯国际FinFET  N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过,这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。


中芯国际首款“N+1”工艺芯片流片成功,为国产芯再立新功_爱车智能_汽车百科


芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制,拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术,多次在先进工艺上填补国内空白,核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。


自2019年始,芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下,团队全程攻坚克难,投入数千万元设计优化,率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代,助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。


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芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作,为大量国内和全球客户实现从成熟工艺(55nm、40nm、28nm、22nm等)到先进工艺(如FinFET 14nm、12nm、7nm等)的不断跨越,在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC,包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产,连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。


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如今,芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功,为国产半导体生态链再立新功。


据悉,芯动微电子科技(珠海)公司由珠海大横琴集团有限公司等三大集团投资引入,并于2019年12月在珠海横琴揭牌成立“中国先进半导体一站式IP及定制量产中心”,持续助力珠海建设成为中国领先的半导体智能产业化基地。


    关于芯动科技(INNOSILICON)  


芯动是中国一站式IP和芯片定制生态赋能型领军企业。芯动团队厚积薄发,14年如一日持续聚焦全球先进工艺,多次填补国内空白,是国内唯一获得全球前六大代工厂签约支持、连续多年在国内市场份额遥遥领先的高速混合电路芯片技术提供商。在突破内存墙技术难题方面,芯动科技2018年在全球范围内比肩英伟达,率先攻克业内顶级的GDDR6高带宽显存技术瓶颈,成功量产高性能计算GPU产品。2019年推出了4K/8K显示的HDMI2.1技术和高速32Gbps SerDes Memory 等先进产品;今年又率先推出国产自主标准的INNOLINK Chiplet和HBM2E等顶尖高性能计算平台技术,支持高性能CPU/GPU/NPU芯片和服务器,国产定制图形GPU产品即将发布,一站式赋能国产自主高端芯片生态。

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