日韩贸易战开打,爆NAND与DRAM双涨效应

日本管制三大电子业关键耗材输韩,全球内存龙头三星高层紧急赴日交涉之余,传内部启动紧急应变计划,将把库存耗材优先用于获利主轴的DRAM生产,缩减目前缺乏获利动能的NANDFlash投片,减产幅度逾二成,台湾旺宏、华邦、群联等NAND族群将享有低价库存涨价利益。

日韩贸易战开打,爆NAND与DRAM双涨效应_设计制作_电源/新能源

内存业者分析,三星全球NAND市占逾三成,此次缩减逾二成产出,等于全球将减少逾6%至8%供应量,加上东芝NAND工厂上月受强震影响产能估达3%,合计本月起,全球NAND产出将减少近一成,且美光也宣布本季减产五成NAND芯片,预料在库存快速消化及未来供给大幅缩减下,NAND芯片恐出现缺货,价格也将结束长达二年多的跌势。

内存业者透露,三星先前在东芝工厂因强震停工后,已调涨NAND售价约一成,此次三星大幅减产,将造成强大的NAND抢货潮,带动价格进一步强弹。若日韩贸易谈判再僵持,下季DRAM合约价也将止跌反弹,出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。

随着报价反弹,国内具备NAND芯片制造能力的旺宏、华邦将是主要受惠厂;内存模组威刚、创见、十铨、群联、宇瞻和广颖等,旺季效应则将会相当明显,营运可望大幅提升。

三星对日本管制氟聚酰亚胺、光阻剂与氟化氢等三大关键耗材输韩相当紧张。三星电子副会长李在镕日前为此亲自赴日协商供货,韩联社14日报导,李在镕于13日在三星举行的一场特别会议上,告知高阶主管访日之旅已确保取得足够的氟聚酰亚胺、光阻剂与氟化氢,但他也要求三星主要要备妥内部应急计划。

内存通路商透露,三星内部的因应计划是将既有的光阻剂和氟化氢等耗材库存,优先支应还有不错获利的DRAM产品,并缩减接近成本边缘的NAND芯片生产,减产幅度达二到三成,顺势消化NAND库存并使报价提升。




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