7月12日消息，普渡大学(Purdue University)科学家正在研究一种可降低磁性存储设备能耗并提高其速度的技术方法。该技术结合了自旋电子和光子材料，利用超短激光脉冲产生强磁场来操纵磁性材料的自旋方向。普渡大学工程学院(Purdue’s College of engineering)材料工程、电气和计算机工程教授埃内斯托说：我们想找出在自旋电子纳米级存储设备中转换磁化的更快方法。

光可使磁记忆速度提高1000倍，并降低电耗！互联网搜索、已有10多年历史按需各种服务，比如仅仅美国，服务器场和数据中心就消耗了超过2%的年用电量。这些数据中心每年要消耗700亿千瓦时的能源，1千瓦时的电量足以让智能手机充电一年左右。按每千瓦时10美分的平均成本计算，所有这些电力的年成本约为70亿美元。

Marinero与普渡大学工程学院的光子学专家和教授Vlad Shalaev和Alexandra Boltasseva合作，开发了一种新的磁光子学技术，利用光来控制磁化过程，使其应用于各种各样的应用中，从而制造出超快的可切换设备。Marinero说：我们是第一批成功开发出一种在高密度存储模块中实现芯片上的纳米磁体全光开关方法之一。

这种新兴的技术涉及到集体电子波，或等离子体激元，当光照射到纳米级材料(如能维持电子波的金属)时触发。这些等离子体激元在经过慎重选择光学和磁性材料界面上产生强烈的超短磁场。通过改变入射光的性质，产生的磁场的方向是反向的，这使得操纵磁性材料中的磁性方向成为可能，这是磁信息存储的关键要求。

工程学研究生Aveek Dutta进行的数值模拟，预测了由诱导等离子体激振驱动的大磁场增强。普渡大学研究方法包括利用光学力量，通过局域表面等离子体共振，将光与纳米磁偶联，产生更快的自旋电子器件切换速度和潜在的更低能源消耗。该灯可实现磁化方向的转换，这是磁存储设备中数字编码信息的关键原理。研究人员详细该技术方法最终会使内存写入速度比目前的方法快1000倍，成功关键领域之一是继续开发与磁铁有效作用的材料。