据外媒TECHPOWERUP消息，英特尔被指控侵犯中国科学院微电子研究所的FinFET专利。

日前，美国专利审查委员会听取了一项针对英特尔侵犯专利的指控，专利申请代号为201110240931.5，其通常称为FinFET专利。该专利来自中国科学院的微电子学研究所，最早可追溯到2011年。英特尔的所有半导体均使用了FinFET技术，如果侵权是事实，则英特尔的违规情况相当严重。目前，FinFET技术专利持有人提出了2亿元人民币的赔偿申请。

 
FinFET技术

此前，英特尔在半导体领域已身陷囫囵。该公司在第二季度财报中宣布了7nm芯片的延迟，与此同时，竞争对手台积电（TSMC）与AMD已经在7nm工艺上领先一步，这对英特尔的收益和市值产生了较大的打击。随后，英特尔又宣布重组其技术部门，原硬件高管Venkata（Murthy）Renduchintala将于日前离任。