LTC3855全部采用N沟道     MOSFET   ，在4.5V至38V的输入电压范围内工作，可产生±0.75%准确度和0.6V至12.5V的输出电压。通过     监控   输出     电感器   （DCR）两端的压降或使用一个采样     电阻器   ，可以对输出     电流   采样。可编程设定的DCR温度补偿在一个宽温度范围内保持准确和恒定的电流限制。内置1.1Ω     栅极驱动器   最大限度地降低MOSFET     开关   损耗，并允许使用多个并联连接的MOSFET。可在250kHz至770kHz范围内通过编程设定一个固定工作频率，该固定工作频率也可用内部PLL同步至一个外部     时钟   。该器件仅为90ns的最短接通时间使LTC3855非常适用于高降压比应用。

跟踪和排序功能允许多个电源的加电和断电优化。其它特点包括电流模式控制、一个用于IC电源的内置     LDO   、可编程的软启动、两个电源良好信号和外部VCC控制。

LTC3855采用38引线SSOP或40引线6mmx6mmQFN封装。

性能概要：LTC3855

•多相工作：多达12相

•高效率：高达95%

•大功率：高达200A

•4.5V至38V的宽输入电压范围

•输出电压范围为0.6V至12.5V，准确度为±0.75%

•     RS   ENSE或DCR电流采样

•可编程DCR温度补偿

•强大的1.1Ω双路N沟道MOSFET栅极驱动器

•真正的差分放大器实现远端输出电压采样

•输出电压跟踪或可编程的软启动

•250kHz至770kHz的可锁相固定频率

•电流模式控制实现准确和容易的电流均分

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