12月13日，南大光电发布公告，为满足公司未来成长的需要，加快集成电路材料业务发展，提升公司竞争力和盈利能力，今日，公司与安徽省全椒县人民政府签订了《江苏南大光电全椒年产 170 吨 MO 源和高 K 三甲基铝生产项目投资协议书》及《江苏南大光电全椒年产 170 吨 MO 源和高 K 三甲基铝生产项目投资补充协议书》。公司拟在安徽省全椒县投资建设“年产 170 吨 MO 源和高 K 三甲基铝生产项目”。

公告披露，该项目实施地点为安徽省滁州市全椒县十谭电子新材料产业园，计划用地 90 亩（预留 150 亩地块用于二期项目实施，预留期至 2020 年 12 月 31 日），土地供应方式为出让国有土地使用权，使用年限 50 年。该项目用地为工业用地，项目用地挂牌出让价为工业用地基准价（8 万元/亩）。

根据公告，南大光电为扩展业务规模，拟在全椒投资约5亿元建设江苏南大光电集成电路材料生产基地，其中年产170吨MO源和高K三甲基铝生产项目固定资产投资3.6亿元。据记者了解，本次投资的资金来源为超募资金及其他自筹资金。南大光电预计，项目投产后2020年可实现销售收入3000万元，2021年可实现销售收入9000万元，2022年可实现销售收入2亿元。

南大光电表示，本次投资对当期公司经营和业绩不产生重大影响。本协议的实施符合公司发展战略，有利于发挥公司技术和市场渠道优势，加快集成电路材料业务的发展，提升公司竞争力和盈利能力，对公司进一步树立优秀电子材料供应商的发展定位有极大的推动作用。

值得注意的是，本项目投资合同为意向性投资合同，本投资合同所述的拟投资项目仅为南大光电的投资意向，目前尚未获得公司董事会或股东大会审议批准。

江苏南大光电材料股份有限公司是工业园区与南京大学于2000年底合作研发的MO源高新技术产业化企业。公司坐落于工业园区国际科技园内，注册资本2770万人民币，专业生产各类高纯金属有机化合物产品（MO源）以及生化产品。MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。该公司是国家863计划MO源研究成果实现产业化的厂家，依托南京大学雄厚的技术实力，拥有自己的研发团队，是国内唯一有能力进行高纯度MO源商业化量产的企业，产品在合成、纯化、分析、封装等技术上均已达到或接近国际先进水平，在国内拥有60%—70%的市场，在台湾、日本和韩国都实现大规模销售，并远销欧洲及俄罗斯等地。