6月25日消息，MRAM磁阻式随机存储芯片作为下一代存储芯片，近几年也是备受关注。从今年年初开始已经有如英特尔、三星等厂商宣布将量产MRAM存储芯片。现在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存储芯片进入试生产阶段。Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。去年 12 月的时候，其已发布了首批预生产样品。新 MRAM 器件采用格罗方德（GlobalFoundries）的 28nm 工艺制造，与当前的 40nm 256Mb 器件相比，其在密度和容量方面有了重大的进步。预计今年下半年的时候，其产能会开始增加。

图片来自BusinessWire

Everspin宣布已完成1Gb的STT-MRAM（自旋扭矩传递磁阻随机存储器）的研发工作，将进入试生产阶段，采用28nm工艺制造。在去年Everspin就已经批量生产了256Mb的STT-MRAM存储芯片，让企业基础设施及数据中心增强其可靠性及性能。此次试生产的1Gb容量产品大幅提升了这类产品的容量的同时，也提供了更有效的I/O流管理、提高了其延迟确定性并允许存储OEM提供商为他们的产品显著提升服务质量。而采用1Gb容量的STT-MRAM存储设备作为存储和结构加速器、计算存储及其他应用的持久数据缓冲器，也可以实现类似的优势。

此次Everspin推出的1Gb STT-MRAM存储器使用了8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC标准的BGA封装方式，更增强了其适用性。

Everspin公司可能并不为读者所了解，这家公司在2008年从飞思卡尔半导体剥离，专注于研发MRAM磁阻随机存储器，其研发人员此前一直都在研发MRAM。

新器件提供了 8 / 16-bit 的 DDR4-1333 MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于 DDR3 的 MRAM 组件一样，时序上的差异使得其难以成为 DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。

低容量的特性，使得 MRAM 组件更适用于嵌入式系统，其中 SoC 和 ASIC 可更容易地设计兼容的 DDR 控制器。

据悉，最新的 1Gb 容量 STT-MRAM 扩大了 MRAM 的吸引力，但 Everspin 仍需努力追赶 DRAM 的存储密度。

当然，我们并不指望 MRAM 专用存储设备可以迅速在市面上普及（SSD或 NVDIMM）。毕竟市面上的混合型 SSD，仍依赖于 NAND 闪存作为主要存储介质。

目前行业内已通过 MRAM 来部分替代 DRAM，比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模块，以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型。

需要指出的是，尽管 Everspin 不是唯一一家致力于 MRAM 技术的公司，但它们却是分立式 MRAM 器件的唯一供应商。

作为与格罗方德合作生产的第二款分立型 MRAM 器件，他们还在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工艺路线图中嵌入了 MRAM 。

鉴于该工厂取消了 7nm 和更低制程的计划，包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。

本次Everspin将STT-MRAM的容量提升至1Gb是这类产品的一个里程碑，但这个容量依旧不是很大，即使MRAM具有非易失性存储器的持久性，而且其随机性能很强，但是作为SSD等产品容量依旧不够，所以嵌入式设备更适合搭载MRAM存储芯片。随着今年开始越来越多的公司开始批量生产MRAM存储芯片，未来我们会更快见到MRAM产品的推出。