本次要介绍的对策是通过增加降噪     电路   或增加部件来降低噪声的三个方法。

增加缓冲电路

增加缓冲电路是降低噪声的常用手法。本文中采用在输出端增加缓冲电路，其实在输入端也可以增加。在本例中，通过在     开关   节点增加RC，起到将开关引发的高频振铃引到GND的作用。

但是，增加缓冲电路会产生损耗。为了增加效果而提高     电容器   的容值的话，     电阻   需要能够容许其功率。下面为缓冲电路损耗的公式和计算示例。

损耗计算示例）缓冲电阻10Ω、缓冲     电容   1000pF、输入电压12V、振荡频率1MHz时的

电阻容许损耗

缓冲电路损耗　 P ＝ C ×V2 × fsw

1000pF × 122 × 1MHz ＝ 0.144W ⇒ 电阻的额定功率需要在MCR18（3216）：0.25W以上

在自举电路插入电阻

在高边开关使用Nch     MOSFET   的IC中，有BOOT引脚（不同的IC其名称可能不同）。它具有将输出电压供给自举电路（多内置于IC中），并为高边MOSFET提供足够的栅极驱动电压的功能。由于BOOT引脚连接于开关节点，因此通过在这里插入电阻，可减缓高边MOSFET导通时的上升速度，从而可抑制开关导通时的噪声。缺点是开关时间变慢，使MOSFET的开关损耗会增加。

在高边MOSFET的栅极插入电阻

这是通过在高边MOSFET的     栅极驱动器   和栅极间插入电阻，来限制栅极电荷，使高边MOSFET的上升和下降平缓（俗话也称“钝化”等），从而降低ON/OFF时噪声的方法。与在自举电路增加电阻一样，MOSFET的开关损耗会增大。但是，这种方法无法用于开关内置型IC。这是只适用于使用了开关外置型控制器IC的结构中的方法。

 关键要点：

・缓冲电路可减少开关的振铃，但效果和损耗之间存在权衡（ Trade-off）关系。

・自举电路增加电阻可减少上升时的噪声，但MOSFET的开关损耗会增加。

・在栅极插入电阻可降低上升和下降时的噪声，但MOSFET的损耗会增加。另外，如果是MOSFET内置型的IC则无法插入电阻。